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DM75S07J

更新时间: 2024-11-21 18:44:51
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 437K
描述
IC,SRAM,16X4,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC

DM75S07J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.85最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DM75S07J 数据手册

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IC,REGISTER FILE,S-TTL,DIP,18PIN,CERAMIC
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