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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | S |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 13 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 10 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 10 ns | 传播延迟（tpd）： | 10 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54S133J/883 | ETC |
获取价格 |
Single 13-input NAND Gate |
|
| DM54S134J | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate |
|
| DM54S134J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate |
|
| DM54S134J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,12-INPUT NAND,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54S138J | ETC |
获取价格 |
3-To-8-Line Demultiplexer |
|
| DM54S138J/883 | ETC |
获取价格 |
3-To-8-Line Demultiplexer |
|
| DM54S138J/883B | ROCHESTER |
获取价格 |
Decoder/Driver |
|
| DM54S138J/883C | TI |
获取价格 |
IC,DECODER/DEMUX,3-TO-8-LINE,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54S138W | ROCHESTER |
获取价格 |
Decoder/Driver |
|
| DM54S138W/883 | ETC |
获取价格 |
3-To-8-Line Demultiplexer |
|
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