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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | AND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 12 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 子类别： | Gates | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54H20J | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
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| DM54H20J/883 | ETC |
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Dual 4-input NAND Gate |
|
| DM54H20J/883B | ETC |
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Dual 4-input NAND Gate |
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| DM54H20J/883C | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
|
| DM54H21J | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT AND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H22J | ROCHESTER |
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NAND Gate |
|
| DM54H22J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H22J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H22J/883C | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H22W | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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