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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 15 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 子类别： | Gates | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54H22W | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
|
| DM54H30J | ETC |
获取价格 |
Single 8-input NAND Gate |
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| DM54H30J/883 | ETC |
获取价格 |
Single 8-input NAND Gate |
|
| DM54H30J/883B | ETC |
获取价格 |
Single 8-input NAND Gate |
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| DM54H30J/883C | ETC |
获取价格 |
Single 8-input NAND Gate |
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| DM54H40J | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H40J | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H40J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H40J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54H40J/883C | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,H-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
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