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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.36 | 系列： | TTL/H/L |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 负载电容（CL）： | 15 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.016 A |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 输入次数： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 11 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns | 传播延迟（tpd）： | 15 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM5420J/883B | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| DM5420J/883C | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| DM5420J-MIL | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
|
| DM5420W | NSC |
获取价格 |
Dual 4-Input NAND Gates |
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| DM5420W/883 | TI |
获取价格 |
TTL/H/L SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
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| DM5420W/883B | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| DM5420W/883C | TI |
获取价格 |
TTL/H/L SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
|
| DM5420W-MIL | NSC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DM5420W-MLS | NSC |
获取价格 |
IC TTL/H/L SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERPACK-14, Gate |
|
| DM5423J | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NOR,STD-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
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