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DM4M32SJ6-12

更新时间: 2024-01-28 01:33:27
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页数 文件大小 规格书
22页 909K
描述
Enhanced DRAM (EDRAM) Module

DM4M32SJ6-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间:30 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 8K X 32 SRAM
备用内存宽度:16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:CACHE DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:35.56 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.032 A子类别:DRAMs
最大压摆率:7.2 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

DM4M32SJ6-12 数据手册

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