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DM2200T1-12 PDF预览

DM2200T1-12

更新时间： 2024-01-11 03:47:40
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 150K
描述
Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11

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DM2200T1-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP, TSOP44,.36,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE/STATIC COLUMN
最长访问时间：30 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 2K X 1 SRAM
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：CACHE DRAM内存宽度：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.36,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DM2200T1-12 数据手册

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Switching Characteristics (continued)  
V = 5V ± 5% (+5 Volt Option), V = 3.3V ± 0.3V% (+3.3 Volt Option), C = 50pf, T = 0 to 70°C (Commercial) ,T = -40 to 85°C (Industrial)  
CC  
CC  
L
A
A
-12  
-15  
Symbol  
Description  
Units  
Min  
Max  
64  
Min  
Max  
64  
t
t
t
t
t
t
t
Row Enable Active Time, Cache Hit (Row=LRR) Read Cycle  
Refresh Period  
8
10  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RE1  
REF  
RGX  
Output Enable Don't Care From Row Enable (Write, Cache Miss), O/P Hi Z  
Row Enable High to Output Turn-On After Write Miss  
Row Precharge Time  
9
0
10  
0
(2,6)  
12  
15  
RQX1  
RP  
20  
8
25  
10  
Row Precharge Time, Cache Hit (Row=LRR) Read Cycle  
Row Precharge Time, Self-Refresh Mode  
RP1  
RP2  
100  
100  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
0
12  
35  
12  
12  
0
0
15  
40  
15  
15  
0
Read Hold Time From Row Enable (Write Only)  
Last Write Address Latch to End of Write  
Row Enable to Column Address Latch Low For Second Write  
Last Write Enable to End of Write  
Column Address Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RRH  
RSH  
RSW  
RWL  
SC  
Select Hold From Row Enable  
SHR  
(1)  
SQV  
Chip Select Access Time  
12  
12  
8
15  
15  
10  
(2,3)  
SQX  
0
0
Output Turn-On From Select Low  
Output Turn-Off From Chip Select  
Select Setup Time to Row Enable  
Transition Time (Rise and Fall)  
0
0
(4,5)  
SQZ  
SSR  
T
5
5
1
10  
1
10  
12  
5
Write Enable Cycle Time  
15  
5
WC  
WCH  
WHR  
WI  
Column Address Latch Low to Write Enable Inactive Time  
Write Enable Hold After /RE  
0
0
5
Write Enable Inactive Time  
5
5
5
Write Enable Active Time  
WP  
(1)  
WQV  
12  
12  
12  
15  
15  
15  
Data Valid From Write Enable High  
Data Output Turn-On From Write Enable High  
Data Turn-Off From Write Enable Low  
Write Enable Setup Time to Row Enable  
Write to Read Recovery (Following Write Miss)  
(2,5)  
WQX  
0
0
5
0
0
5
(3,4)  
WQZ  
WRP  
WRR  
16  
18  
(1) V Timing Reference Point at 1.5V  
OUT  
(2) Parameter Defines Time When Output is Enabled (Sourcing or Sinking Current) and is Not Referenced to V or V  
OH  
OL  
(3) Minimum Specification is Referenced from V and Maximum Specification is Referenced from V on Input Control Signal  
IH  
IL  
(4) Parameter Defines Time When Output Achieves Open-Circuit Condition and is Not Referenced to V or V  
OH  
OL  
(5) Minimum Specification is Referenced from V and Maximum Specification is Referenced from V on Input Control Signal  
IL  
IH  
(6) Access Parameter Applies When /CAL Has Not Been Asserted Prior to t  
RAC2  
1-7  
1...45678910...18

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与DM2200T1-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DM2200T1-12I RAMTRON

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 		Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T1-12L RAMTRON

获取价格

 		Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T1-15 RAMTRON

获取价格

 		Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T1-15I RAMTRON

获取价格

 		Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T1-15L RAMTRON

获取价格

 		Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T-12 ETC

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 		Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2200T-12I RAMTRON

获取价格

 		Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11
DM2200T-12L ETC

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 		Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2200T-15 ETC

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DM2200T-15I ETC

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