是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP, TSOP44,.36,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FAST PAGE/STATIC COLUMN |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 1 SRAM |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP44,.36,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.225 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM2200T-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2200T-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2200T-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2200T-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202J-10 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202J1-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202J1-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202J1-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202J1-15 | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28, | |
DM2202J1-15I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 |