Datasheet > DGP30/4E

DGP30/4E

更新时间： 2024-11-19 21:12:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DGP30/4E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1500 V	最大反向恢复时间：	20 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

DGP30/4E 数据手册

CGP30 & DGP30

Vishay General Semiconductor

Clamper/Damper Glass Passivated Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

• Typical I less than 0.1 µA

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 260 °C, 40 s

DO-201AD

* Glass-plastic encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602, and

brazed-lead assembly by

Patent No. 3,930,306

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high voltage rectification of power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes

specially designed for clamping circuits, horizontal

deflection systems and damper applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

3.0 A

V_RRM

I_FSM

I_R

1400 V, 1500 V

100 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

5.0 µA

V_F

1.2 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

T_Jmax.

175 °C

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

CGP30

1400

980

DGP30

1500

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

1050

Maximum DC blocking voltage

V_DC

1400

1500

Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)

lead lengths at T_A= 50 °C

I_F(AV)

3.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

100

Maximum full load reverse current, full cycle average

0.375" (9.5 mm) lead length at T_A= 70 °C

I_R(AV)

200

µA

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

Document Number: 88569

Revision: 26-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与DGP30/4E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DGP30/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/4G	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/4H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/51	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/53	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/58	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/62	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/68	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-
DGP30/70	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-

与DGP30/4E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DGP30/4E

DGP30/4E 技术参数

DGP30/4E 数据手册

与DGP30/4E相关器件

与DGP30/4E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DGP30/4E

DGP30/4E 技术参数

DGP30/4E 数据手册

与DGP30/4E相关器件

与DGP30/4E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？