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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 信道数量： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 最大通态电阻 (Ron)： | 500 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | +-15 V |
| 子类别： | Multiplexer or Switches | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DG50F12T3 | STARPOWER |
获取价格 |
T3.0-Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT Without Short-circuit Capacity |
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| DG50NA100 | YANGJIE |
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3GBJ |
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| DG50NA120 | YANGJIE |
获取价格 |
3GBJ |
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| DG50NA140 | YANGJIE |
获取价格 |
3GBJ |
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| DG50NA160 | YANGJIE |
获取价格 |
3GBJ |
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| DG50NA60 | YANGJIE |
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3GBJ |
|
| DG50NA80 | YANGJIE |
获取价格 |
3GBJ |
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| DG50X06T2 | STARPOWER |
获取价格 |
T2.0-Trench FS IGBT,Low Loss |
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| DG51 | ETC |
获取价格 |
DG51 - Dioda germanowa impulsowa |
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| DG5140AK | VISHAY |
获取价格 |
SPST, 1 Func, CMOS, CDIP16 |
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