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DFLZ11Q-7

更新时间: 2024-01-30 06:56:20
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 207K
描述
1.0W SURFACE MOUNT POWER ZENER DIODE POWERDI®123

DFLZ11Q-7 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:7 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.45%
工作测试电流:50 mABase Number Matches:1

DFLZ11Q-7 数据手册

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DFLZ5V1Q - DFLZ39Q  
1.2  
1.0  
0.8  
1
Note 5  
0.1  
0.01  
0.001  
0.6  
0.4  
0.0001  
0.00001  
0.2  
0
0.000001  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
0
25  
50  
75  
100  
125  
C)  
150  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Figure 2 Typical Forward Characteristics  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (  
Figure 1 Power Derating Curve  
°
10,000  
f = 1MHz  
= 25°C  
T
A
1,000  
V
= 1V  
R
V
= 2V  
R
100  
10  
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
1
100  
Figure 3 Typical Total Capacitance vs. Nominal Zener Voltage  
Package Outline Dimensions  
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.  
B
POWERDI®123  
C
E
Dim Min Max Typ  
A
B
C
D
E
3.50 3.90 3.70  
2.60 3.00 2.80  
1.63 1.93 1.78  
0.93 1.00 0.98  
0.85 1.25 1.00  
0.15 0.25 0.20  
0.40 0.50 0.45  
D
H
H
L
L
L1  
L3  
L1  
L2  
L3  
-
-
-
-
-
-
1.35  
1.10  
0.20  
L2  
E
E
All Dimensions in mm  
A
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
3 of 4  
www.diodes.com  
February 2014  
© Diodes Incorporated  
DFLZ5V1Q - DFLZ39Q  
Document number: DS36898 Rev. 1 - 2  

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