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DF5A6.2LJE

更新时间： 2024-02-24 18:13:04
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
3页 151K
描述
Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).

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DF5A6.2LJE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.52
配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：50 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：4
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：6.2 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：4.84%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

DF5A6.2LJE 数据手册

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DF5A6.2LJE  
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type  
DF5A6.2LJE  
Product for Use Only as Protection against Electrostatic  
Discharge (ESD).  
Unit: mm  
* This product is for protection against electrostatic discharge (ESD)  
only and is not intended for any other usage, including without  
limitation, the constant voltage diode application.  
•
•
The mounting of four devices on an ultra-compact package allows the  
number of parts and the mounting cost to be reduced.  
Low Terminal capacitance (between Cathode and Anode)  
: C = 6.5 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1.CATHODE1  
2.ANODE  
Characteristics  
Power dissipation  
Symbol  
P
Rating  
Unit  
3.CATHODE2  
4.CATHODE3  
5.CATHODE4  
100  
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
−55~150  
°C  
stg  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
1-2W1A  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Zener voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
I
= 5 mA  
= 5 mA  
5.9  
⎯
6.2  
⎯
6.5  
50  
V
Ω
Z
Z
Z
Dynamic impedance  
Reverse current  
Z
Z
I
V
V
= 5V  
⎯
⎯
2.5  
μA  
R
R
R
Terminal capacitance  
(between Cathode and Anode)  
C
T
= 0 V, f = 1 MHz  
⎯
6.5  
⎯
pF  
Guaranteed Level of ESD Immunity  
Test Condition  
ESD Immunity Level  
IEC61000-4-2  
(Contact discharge)  
± 8 kV  
Criterion: No damage to device elements  
1
2007-11-01  
123

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