Datasheet > DF300R12KE3

DF300R12KE3

更新时间： 2023-12-06 20:11:34

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		斩波器双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	169K
描述
62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DF300R12KE3 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF300R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Chopperdiode / chopper diode

Durchlassspannung

forward voltage

I_F=400A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

1,65

2,15

V_F

I_F= 400A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F=400A, -di_F/dt= 4000A/µs

Rückstromspitze

I_RM

280

360

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=400A, -di_F/dt= 4000A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=400A, -di_F/dt= 4000A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechelr. / transistor inverter

0,085

0,150

0,125

K/W

Innerer Wärmewiderstand; DC

Inversdiode / free wheel diode

R_thJC

thermal resistance, junction to case; DC

Chopper Diode / chopper diode

pro Modul / per module

λ_Paste= 1W/m*K / λ_grease= 1W/m*K

Übergangs Wärmewiderstand

R_thCK

T_{vj max}

T_{vj op}

T_stg

0,010

K/W

°C

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

°C

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

Al₂O₃

425

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube M6 / screw M6

mounting torque

3,0

2,5

6,0

5,0

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse

Anschlüsse /terminals M6

terminal connection torque

Gewicht

weight

340

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

DB_DF300R12KE3_3.0

3 (8)

2002-10-02

1 234 5 6 7...9

下载PDF

与DF300R12KE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DF300R12KE3HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5	获取价格
DF3066S170D	TOKEN	DF-B Dielectric Filters	获取价格
DF30AA120	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30AA160	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA40	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA60	SANREX	Bridge Rectifier Diode, 30A, 600V V(RRM),	获取价格