Datasheet > DF300R12KE3

DF300R12KE3

更新时间： 2023-12-06 20:11:34

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		斩波器双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	169K
描述
62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DF300R12KE3 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF300R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

I_C= 300A V_CC= 600V

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

t_d,on

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 25°C

0,25

0,30

µs

turn on delay time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

I_C=300A, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

I_C= 300A, V_CC= 600V

0,09

0,10

µs

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 25°C

0,55

0,65

µs

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

I_C= 300A, V_CC= 600V

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 25°C

0,13

0,18

µs

V_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

I_C= 300A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

I_C= 300A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH

_GE= ±15V, R_G= 2,4Ω, T_vj= 125°C

_P≤ 10µs, V_GE≤ 15V, T_Vj≤ 125°C

_CC= 900V, V_CEmax= V_CES- L_σCE·di/dt

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

1200

Modulinduktivität

stray inductance module

L_σCE

mΩ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

0,7

Charakteristische Werte / characteristic values

Inversdiode / free-wheel diode

Durchlassspannung

forward voltage

I_F= 300A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

1,65

2,15

V_F

I_F= 300A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 300A, -di_F/dt= 3000A/µs

Rückstromspitze

I_RM

210

270

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 300A, -di_F/dt= 3000A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 300A, -di_F/dt= 3000A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

DB_DF300R12KE3_3.0

2002-10-02

2 (8)

123 4 5 6 7...9

下载PDF

与DF300R12KE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DF300R12KE3HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5	获取价格
DF3066S170D	TOKEN	DF-B Dielectric Filters	获取价格
DF30AA120	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30AA160	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA40	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA60	SANREX	Bridge Rectifier Diode, 30A, 600V V(RRM),	获取价格