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DF300R12KE3

更新时间： 2023-12-06 20:11:34

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英飞凌 - INFINEON		斩波器双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	169K
描述
62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.

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DF300R12KE3 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF300R12KE3

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

Zth : IGBT

Zth : Inversdiode

Zth : Diode Chopper

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

r_i[K/kW] : IGBT

35,73

42,82

4,84

2,364E-03

8,52

1,61

τ_i[s] : IGBT

6,499E-02

62,99

6,499E-02

52,51

6,499E-02

2,601E-02

75,66

2,601E-02

63,02

2,601E-02

1,187E-05

2,83

1,187E-05

2,37

1,187E-05

r_i[K/kW] : Inversdiode

τ_i[s] : Inversdiode

r_i[K/kW] : Chopper Diode

τ_i[s] : Chopper Diode

2,364E-03

7,10

2,364E-03

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=±15V, T_vj=125°C, R_G=2,4Ω

700

600

500

400

IC,Chip

IC,Modul

300

200

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

DB_DF300R12KE3_3.0

2002-10-02

7 (8)

1...4 5 678 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DF300R12KE3HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5	获取价格
DF3066S170D	TOKEN	DF-B Dielectric Filters	获取价格
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DF30AA160	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA40	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA60	SANREX	Bridge Rectifier Diode, 30A, 600V V(RRM),	获取价格