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DF200R12W1H3FB11BOMA1

更新时间： 2024-02-02 05:59:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
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11页	826K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-18

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	14 weeks
风险等级：	5.6	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X18	元件数量：	2
端子数量：	18	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	475 ns
标称接通时间 (ton)：	27 ns	Base Number Matches：	1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册

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DF200R12W1H3F_B11

IGBT-Chopperꢀ/ꢀIGBT-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

1200

100

ꢀ

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_H= 100°C, T_{vj max}= 175°C

t_P= 1 ms

I_{C nom}

I_CRM

V_GES

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

200

+/-20

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 30 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,30 1,45

1,35

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,05 5,80 6,45

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,80

0,0

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

6,15

0,345

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,018

0,017

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,01

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,30

0,40

0,44

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,014

0,03

0,035

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 30 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

0,73

0,78

0,80

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 30 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

1,30

2,00

2,40

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

360

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJH

T_{vj op}

0,700

K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.1

2017-03-31

1 234 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DF200S	WON-TOP	SMD	获取价格
DF201	HY	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDEG RECTIFIERS	获取价格
DF201	DIOTECH	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
DF201	WTE	Bridge Rectifier Diode	获取价格
DF201	WON-TOP	Dual In-Line	获取价格
DF2010	WON-TOP	Dual In-Line	获取价格

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