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DF200R12W1H3FB11BOMA1

更新时间: 2024-01-05 12:42:49
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
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11页 826K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-18

DF200R12W1H3FB11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.6外壳连接:ISOLATED
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-XUFM-X18元件数量:2
端子数量:18最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):475 ns
标称接通时间 (ton):27 nsBase Number Matches:1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册

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DF200R12W1H3F_B11  
VerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ/ꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IFRMSM  
IRMSM  
IFSM  
1200  
50  
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip  
TH = 60°C  
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip  
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom  
TH = 60°C  
60  
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput  
StoßstromꢀGrenzwert  
Surgeꢀforwardꢀcurrent  
tp = 10 ms, Tvj = 25°C  
tp = 10 ms, Tvj = 150°C  
360  
290  
A
A
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
tp = 10 ms, Tvj = 25°C  
tp = 10 ms, Tvj = 150°C  
650  
420  
A²s  
A²s  
I²t  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
Durchlassspannung  
Tvj = 150°C, IF = 30 A  
Forwardꢀvoltage  
min. typ. max.  
0,95  
VF  
rT  
V
Ersatzwiderstand  
Tvj = 150°C  
0,10  
0,10  
1,60  
m  
mA  
K/W  
°C  
Slopeꢀresistance  
Sperrstrom  
Tvj = 150°C, VR = 1200 V  
Reverseꢀcurrent  
IR  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJH  
Tvj op  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
Datasheet  
2
Vꢀ3.1  
2017-03-31  

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