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DF200R12W1H3FB11BOMA1

更新时间: 2024-01-12 22:52:58
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 826K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-18

DF200R12W1H3FB11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.6外壳连接:ISOLATED
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-XUFM-X18元件数量:2
端子数量:18最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):475 ns
标称接通时间 (ton):27 nsBase Number Matches:1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册

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DF200R12W1H3F_B11  
DurchlasskennlinieꢀderꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA  
AusgangskennlinieꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)  
(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
60  
60  
Tvj = 25°C  
Tvj = 150°C  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
50  
40  
30  
20  
10  
0
50  
40  
30  
20  
10  
0
0,0  
0,2  
0,4  
0,6  
0,8  
1,0  
1,2  
1,4  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0  
VF [V]  
VCE [V]  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
60  
60  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
50  
40  
30  
20  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
5
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VCE [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
6
7
8
9
10  
VGE [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ3.1  
2017-03-31  

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