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DF200R12PT4_B6

更新时间： 2024-11-11 19:44:23

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
10页	833K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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DF200R12PT4_B6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DF200R12PT4_B6 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

DF200R12PT4_B6

EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC

EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 200A / I_CRM= 400A

TypischeꢀAnwendungen

• 3-Level-Applikationen

• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen

• Chopper-Anwendungen

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication

• ChopperꢀApplications

• MotorꢀDrives

• SolarꢀAnwendungen

• SolarꢀApplications

• USV-Systeme

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• TrenchꢀIGBTꢀ4

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• Highꢀmechanicalꢀrobustness

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• Standardgehäuse

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀKY

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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