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DF11MR12W1M1_B11

更新时间： 2023-09-03 20:28:22

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DF11MR12W1M1_B11 数据手册

DF11MR12W1M1_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_D),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_D)

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GSꢀ=ꢀ-ꢀ5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1,0ꢀꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1,0ꢀΩ,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GSꢀ=ꢀ-ꢀ5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀVꢀ,ꢀI_Dꢀ=ꢀꢀ50ꢀA,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

0,6

1,0

E_on, T_vj= 125°C; E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C; E_off, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C; E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C; E_off, T_vj= 150°C

0,9

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0,0

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0,0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I_D[A]

R_G[Ω]

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBoostꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

T_vj= 25°C

Z_thJH: Diode

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,1

r_i[K/W]: 0,061

τ_i[s]:

0,19

0,312 0,517

0,000676 0,00752 0,0411 0,184

0,01

0,001

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

0,01

0,1

t [s]

Datasheet

Vꢀ2.3

2018-12-17

1...4 5 678 9 10

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