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DF11MR12W1M1_B11

更新时间： 2023-09-03 20:28:22

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DF11MR12W1M1_B11 数据手册

DF11MR12W1M1_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀR_Gꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

120

I_D, Modul

Z_thJH: MOSFET

I_D, Chip

110

100

0,1

r_i[K/W]: 0,05

τ_i[s]: 0,000598 0,0138 0,159 0,981

0,196 0,705 0,169

0,01

0,001

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,01

0,1

V_DS[V]

t [s]

AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_GS)

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV

V_DSꢀ=ꢀ20ꢀV

100

T_vj= 25°C

T_vj= 125 °C

T_vj= 150°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_DS[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

V_GS[V]

Datasheet

Vꢀ2.3

2018-12-17

1...3 4 567 8 9 10

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