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DE2S06800L

更新时间： 2024-09-21 14:48:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 317K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F5-B, SC-79, 2 PIN

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DE2S06800L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-79包装说明：SC-79, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：7.79配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.15 W标称参考电压：6.8 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
Base Number Matches：1

DE2S06800L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-12679  
Revision. 4  
Zener Diode  
DE2S06800L  
DE2S06800L  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
0.8  
0.13  
For ESD protection  
2
Features  
High ESD  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
Marking Symbol:  
Packaging  
E2  
1
0.3  
0.6  
Embossed type (Thermo-compression sealing) 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Cathode  
2. Anode  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Panasonic  
JEITA  
SSMini2-F5-B  
SC-79  
SOD-523  
Parameter  
Symbol  
Rating  
150  
±30  
Unit  
mW  
kV  
Total power dissipation *1  
Electrostatic discharge *2  
Junction temperature  
PT  
ESD  
Tj  
Code  
150  
°C  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
-40 to +85  
°C  
Internal Connection  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
2
Note)  
Mounted on glass epoxy print board. ( 45 mm x 45 mm x 1 mm)  
*1:  
Solder in ( 0.8 mm x 0.6 mm)  
Test method:IEC61000_4_2(C = 150 pF,R = 330 , Contact discharge:10 times)  
*2:  
1
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
V
μA  
Zener voltage *1,*2  
VZ  
IZ = 1 mA  
VR = 4 V  
6.46  
7.14  
0.5  
Reverse current  
IR  
Terminal capacitance  
Temperature coefficient of zener voltage *3  
Ct  
SZ  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
IZ = 1 mA  
50  
3.0  
pF  
mV/°C  
Note)  
1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 Measuring methods for Diodes.  
2. *1: The temperature must be controlled 25°C for VZ mesurement.  
VZ value measured at other temperature must be adjusted to VZ (25°C)  
*2: VZ guaranted 20 ms after current flow.  
*3: Tj = 25°C to 150°C  
Page 1 of 4  
Established : 2010-07-12  
Revised : 2013-09-25  
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