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DBYL1025B

更新时间： 2024-11-11 20:00:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3/2

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DBYL1025B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：5000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DBYL1025B 数据手册

 浏览型号DBYL1025B的Datasheet PDF文件第2页 
DBYL1025B  
10A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
E
D2PAK  
Min  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
4
·
·
B
C
J
B
D
1
2
3
E
G
H
M
Mechanical Data  
D
K
Case: D2PAK Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
J
·
·
C
K
L
L
PIN 1  
PIN 3  
N.C.  
·
·
·
·
PIN 2 & 4  
M
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
DBYL1025B  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
21  
10  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 125°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
100  
A
Forward Voltage, per Element  
@ IF = 10A, TC = 25°C  
@ IF = 10A, TC = 125°C  
@ IF = 20A, TC = 125°C  
0.45  
0.37  
0.53  
VFM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
= 25°C  
5.0  
500  
IRM  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
350  
6.0  
pF  
K/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
DS30046 Rev. B-5  
1 of 2  
DBYL1025B  
12

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