生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.78 |
最小击穿电压: | 20 V | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | 最大非重复峰值正向电流: | 120 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大重复峰值反向电压: | 20 V |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DB520 | GOOD-ARK |
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Bridge Rectifier Diode, |
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DB5306X | ETC |
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SINGLE COLOR LED |
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DB53750-2 | ITT |
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D Subminiature Connectors |
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DB-54003-470 | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER amplifier using 1 x PD54003 N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
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DB-54003L-175 | ETC |
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HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-175A | ETC |
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HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-235 | STMICROELECTRONICS |
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215MHz - 235MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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DB-54003L-470 | ETC |
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HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-512 | ETC |
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HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-880 | ETC |
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HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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