生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 最小击穿电压: | 200 V |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
最大非重复峰值正向电流: | 120 A | 元件数量: | 4 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DB5306X | ETC | SINGLE COLOR LED |
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DB53750-2 | ITT | D Subminiature Connectors |
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DB-54003-470 | STMICROELECTRONICS | RF POWER amplifier using 1 x PD54003 N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
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DB-54003L-175 | ETC | HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-175A | ETC | HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF |
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DB-54003L-235 | STMICROELECTRONICS | 215MHz - 235MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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