DB4-AP

更新时间： 2024-09-25 06:52:19

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美微科 - MCC		触发装置数据判读及分析中心
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3页	397K
描述
SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

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DB4-AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	DO-35G, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大转折电压：	45 V
最小转折电压：	35 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	DIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	DIAC	Base Number Matches：	1

DB4-AP 数据手册

DB3/DC34

AND

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

DB4/DB6

Features

SILICON

BIDIRECTIONAL

DIAC

The three layer, two terminal, axial lead, hermetically sealed

diacs are designed specifically for triggering thyristors.

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

•

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

These diacs are intended for use in thyrisitors phase control ,

circuits for lamp dimming, universal motor speed control ,and

DO-35G

Type number is marked.

heat control.

Maximum Ratings

Operating Temperature: -40^oC to +110^oC

Storage Temperature: -40^oC to +125^oC

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Power dissipation

on Printed

Circuit(l=10mm)

P_C

150mW

T_A=50^oC

Repetitive Peak

on-state Current

DB3,DC34,DB4

DB6

Breakover Voltage

DB3

DC34

DB4

DB6

I_TRM

2.0A

16A

t_p=10us,f=100Hz

C=22nF(Note 3)

Min Typ Max

28 32 36V

30 34 38V

35 40 45V

56 60 70V

V_BO

Breakover Voltage

Symmetry

DB3, DC34, DB4

DB6

|+V_BO|

-|-V_BO|

C=22nF(Note 3)

±3V

±4V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

1.083

Output

Voltage(Note 2)

Breakover

DIM

MAX

.150

.079

.020

---

MIN

---

27.50

MAX

3.8

2.00

.52

NOTE

V_o(min)

---

I_BO(max)

T_r

100uA

1.5us

10uA

C=22nF

Current(Note 2)

Rise Time(Note 2)

Leakage

Current(Note 2)

I_B(max)

V_B=0.5V_BO(max)

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.

2. Electrical characteristics applicable in both forward and

reverse directions.

3. Connected in parallel with the devices.

www.mccsemi.com

Revision: 6

2008/02/01

1 of 3

12 3

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DB4-AP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DB4	STMICROELECTRONICS	功能相似	TRIGGER DIODES

与DB4-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DB4-BP	MCC	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIAC
DB4-GT3	SENSITRON	获取价格	DIAC, 45V V(BO) Max, DO-35, GLASS PACKAGE-2
DB4J314K	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, L Band, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI4-F3-B, 4 PIN
DB4J406K0R	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI4-F3-B, S
DB4M	SHUNYE	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIACS
DB4M	BL Galaxy Electrical	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIACS
DB4M	BL Galaxy Electrical	获取价格	Axial Lead DIAC
DB4S	BL Galaxy Electrical	获取价格	Axial Lead DIAC
DB4-T3	SENSITRON	获取价格	DIAC, 45V V(BO) Max, DO-35, GLASS PACKAGE-2
DB4-TP	MCC	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

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