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DB4X501K

更新时间： 2024-09-25 20:08:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	481K
描述
Mixer Diode, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI4-G4-B, 4 PIN

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DB4X501K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.73	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.36 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向电流：	200 µA	反向测试电压：	50 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DB4X501K 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DB4X501K

Silicon epitaxial planar type

For high speed switching circuits

DB2J501 in Mini4 type package

 Features

ꢀPackage

 Short reverse recovery time t_rr

 Low terminal capacitance C_t

ꢀCode

Mini4-G4-B

ꢀPin Name

1: Anode-1

2: Anode-2

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

3: Cathode-2

4: Cathode-1

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: 4H

ꢀInternal Connection

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

Reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

V_RM

Single

200

Forward current (Average)

I_F(AV)

Double ^*

Single

125

300

Peak forward current

I_FM

Double ^*

Single

225

Non-repetitive peak forward

surge current

I_FSM

T_j

Double ^*

0.75

125

Junction temperature

Storage temperature

°C

stg

–55 to +125

Note) : Value of each diode in double diodes used.

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F1

V_F2

I_R

I_F= 30 mA

I_F= 200 mA

V_R= 50 V

0.36

0.55

200

Forward voltage

Reverse current

Terminal capacitance

C_t

V_R= 10 V, f = 1 MHz

I_F= I_R=100 mA, I_rr= 10 mA,

Reverse recovery time ^*

t_rr

1.6

R_L= 100 Ωꢀ

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage

of current from the operating equipment.

3. Absolute frequency of input and output is 1 GHz

4. : t_rrmeasurement circuit

Input Pulse

Output Pulse

t_rr

Bias Application Unit (N-50BU)

t_p

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 10 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

Publication date: March 2010

ZKH00279BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DB4X501K0R	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-253AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-
DB5	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRIGGER DIODES
DB5000P	DEC	获取价格	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
DB5001P	DEC	获取价格	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
DB5002P	DEC	获取价格	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
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