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DB157-C PDF预览

DB157-C

更新时间： 2024-02-16 21:46:11
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 133K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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DB157-C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDIP-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
其他特性：UL LISTED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDIP-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DB157-C 数据手册

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DB151  
THRU  
DB157  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.5 Ampere  
FEATURES  
* Good for automation insertion  
* Surge overload rating - 40 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
DB-1  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.255 6.5  
(
MECHANICAL DATA  
.245 6.2  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
(
)
)
.350 8.9  
(
.300 7.6  
(8.51)  
(8.12)  
.335  
.320  
(
)
.135 3.4  
(
)
.115 2.9  
(
)
)
.165 4.2  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
.020  
0.5  
(
.155 3.9  
(
)
.060  
(
)
)
.205 5.2  
(
)
1.5  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
DB151  
50  
DB152  
100  
DB153  
200  
DB154  
400  
DB155  
600  
DB156  
800  
DB157 UNITS  
V
RRM  
RMS  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
50  
100  
200  
400  
1.5  
600  
800  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
= 40oC  
I
O
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
40  
Amps  
I2T  
A2S  
6.64  
Typical Current Squared Time  
Typical Thermal Resistance  
R Q J A  
R Q J L  
55  
8
0C/W  
Typical Thermal Resistance  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
0 C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
DB151  
DB152  
DB153  
DB154  
1.0  
DB155  
DB156  
DB157 UNITS  
Volts  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 1.5A DC  
V
F
uAmps  
Maximum Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
1.0  
IR  
0.05  
mAmps  
Note:1.”Fully ROHS compliant”,”100% Sn plating(Pb-free).  
2016-09  
REV: D  
12345

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