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DB157S

更新时间： 2024-02-28 04:12:15
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER

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DB157S 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59其他特性：UL LISTED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DB157S 数据手册

 浏览型号DB157S的Datasheet PDF文件第2页 
DB151S  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
DB157S  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.5 Ampere  
FEATURES  
* Surge overload rating - 60 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
DB-S  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.310 7.9  
MECHANICAL DATA  
(
.290 7.4  
(
)
)
.255 6.5  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
.245 6.2  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
.009  
(
)
)
)
.013 .330  
(
)
9.4  
(
.003 .076  
(
)
)
.042 1.1  
(
.410 10.4  
(
.038 1.0  
(
)
.360 9.4  
(
)
)
.060 1.524  
(
.040 1.016  
(8.51)  
(8.13)  
.335  
.320  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
)
.135 3.4  
(
.115 2.9  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S UNITS  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
400  
1.5  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
40oC  
I
O
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
60  
Amps  
R θ J A  
R θ J L  
40  
15  
Typical thermal resistance  
0C/ W  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
TJ,TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S UNITS  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 1.0A DC  
V
F
1.1  
Volts  
uAmps  
mAmps  
2002-1  
Maximum Reverse Current at rated  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
5.0  
0.5  
I
R
NOTE: Suffix “-s” Surface Mount for Dip Bridge.  
12

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DB157S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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DB157S-W RECTRON

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