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DB157S

更新时间： 2024-01-31 15:58:08

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2页	229K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS

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DB157S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	其他特性：	UL LISTED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DB157S 数据手册

DB151S THRU DB157S

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED

SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS

Reverse Voltage – 50 to 1000 Volts

Forward Current – 1.5 Ampere

Features

• High surge overload rating of 50 amperes peak

• Ideal for printed circuit board

• Plastic material has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Glass passivated chip junction

Mechanical data

• Case Molded plastic, DB-S

• Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

• Mounting position: Any

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or

inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols

Units

151S 152S 153S 154S 155S 156S 157S

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100 200 400 600 800 1000 Volts

70 140 280 420 560 700 Volts

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

at T_A= 40 ^OC (Note 2)

100 200 400 600 800 1000 Volts

I_O

I_FSM

V_F

1.5

Amps

Peak forward surge current

8.3ms single half-sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC method)

Maximum forward voltage

Amps

1.1

Volts

at 1.5A DC and 25℃

Maximum reverse current

@T_A= 25℃

µAmps

mAmps

at rated DC blocking

I_R

@T_A=125 ℃

500

voltage

Typical junction capacitance(Note 1)

Typical thermal resistance(Note 2)

Operating and storage temperature range

C_J

R_0JA

℃/w

℃

R_0JL

T_J,T_STG

-55 to +150

NOTES: 1.Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.

2.Units mounted on P.C.B. with 0.5*0.5”(13*13mm) copper pads.

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 10/12/2003

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与DB157S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DB157S-C	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-
DB157STR	ETC	获取价格	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB-S
DB157S-W	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
DB158	SURGE	获取价格	DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE-50 to 1000 Volts
DB158G	LGE	获取价格	Single Phase 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB158S	ASEMI	获取价格	1.5 A Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB158S	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4
DB159G	LGE	获取价格	Single Phase 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB159S	ASEMI	获取价格	1.5 A Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB15H141D	SANYO	获取价格	2-PHASE STEPPING SYSTEMS

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