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DA112S1RL

更新时间: 2024-11-16 04:13:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 瞬态抑制器二极管测试光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
Diode Array

DA112S1RL 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50Factory Lead Time:43 weeks 2 days
风险等级:1.37Is Samacsys:N
其他特性:LOW CAPACITANCE配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:12端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.73 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:18 V
最大反向电流:2 µA反向测试电压:15 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

DA112S1RL 数据手册

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DA108S1  
DA112S1  
ASD (Application Specific Devices)  
Diode Array  
Main applications  
Protection of logic side of ISDN S-interface  
Protection of I/O lines of microcontroller  
Signal conditioning  
Features  
Array of 8 or 12 diodes  
Low input capacitance  
Suitable for digital line protection  
SO-8  
Functional diagram: DA108S1  
Description  
ARRAY of 8 or 12 diodes configured by cells of 2  
diodes, each cell being used to protect signal line  
from transient overvoltages by clamping action.  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
REF1  
REF2  
REF3  
REF4  
COMPLIES WITH FOLLOWING  
STANDARDS :  
IEC 61000-4-2 Level 4:  
15kV (air discharge)  
8kV (contact discharge)  
Functional diagram: DA112S1  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
1
2
3
4
8
7
6
5
REF1  
I/O6  
REF2  
I/O5  
February 2007  
Rev 5  
1/8  
www.st.com  

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