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D5SBA60

更新时间： 2024-11-14 03:28:23

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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D5SBA60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	2.8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D5SBA60 数据手册

D5SBA10 ~ D5SBA60

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV25

PRV : 100 ~ 600 Volts

Io : 6 Amperes

3.9 ± 0.2

30 ± 0.3

4.9 ± 0.2

Æ 3.2 ± 0.1

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

~ ~

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

* Very good heat dissipation

* Pb / RoHS Free

1.0 ± 0.1

MECHANICAL DATA :

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

10 7.5 7.5

±0.2 ±0.2 ±0.2

2.0 ± 0.2

0.7 ± 0.1

Dimensions in millimeters

* Weight : 7.7 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

RATING

Maximum Reverse Voltage

SYMBOL D5SBA10 D5SBA20 D5SBA40 D5SBA60 UNIT

VRM

100

200

400

600

Maximum Average Forward Current

6 (With heatsink, Tc = 110°C)

IF(AV)

(50Hz Sine wave, R-load)

2.8 (Without heatsink, Ta = 25°C)

Maximum Peak Forward Surge Current, Tj = 25°C

(50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value)

Current Squared Time at 1ms ≤ t < 10 ms, Tc=25°C

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 3.0 A

Maximum DC Reverse Current, VR=VRM

( Pulse measurement, Rating of per diode)

Maximum Thermal Resistance, Junction to case

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

IFSM

120

I²t

A²S

1.05

3.4 (With heatsink)

26 (Without heatsink)

150

°C/W

°C

RqJC

RqJA

Storage Temperature Range

TSTG

- 40 to + 150

°C

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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