5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 基于收集器的最大容量： | 25 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3000 ns | 最大开启时间（吨）： | 660 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D44TD3-DR6260 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44TD3-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44TD3-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| D44TD3-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| D44TD4 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
|
| D44TD4 | NJSEMI |
获取价格 |
BJT |
|
| D44TD4-6200 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44TD4-6203 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| D44TD4-6263 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44TD4-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
