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D44H/D

更新时间： 2024-02-06 17:27:09
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 45K
描述
Complemetary Silicon Power Transistors

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D44H/D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.49Samacsys Description：ON Semiconductor BIP T0220 NPN 15A 80V
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

D44H/D 数据手册

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ON Semiconductort  
NPN  
D44H Series  
PNP  
D45H Series  
Complementary Silicon Power  
Transistors  
*
*
. . . for general purpose power amplification and switching such as  
output or driver stages in applications such as switching regulators,  
converters and power amplifiers.  
*ON Semiconductor Preferred Device  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80 VOLTS  
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
CE(sat)  
= 1.0 V (Max) @ 8.0 A  
• Fast Switching Speeds  
• Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
D44H or D45H  
8
10, 11  
80  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
10  
20  
Total Power Dissipation  
P
D
Watts  
@ T = 25_C  
50  
1.67  
C
CASE 221A–06  
TO–220AB  
@ T = 25_C  
A
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Symbol  
Max  
2.5  
75  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
R
θ
JC  
JA  
L
R
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds  
(1) Pulse Width v 6.0 ms, Duty Cycle v 50%.  
T
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
J
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
DC Current Gain  
(V = 1.0 Vdc, I = 2.0 Adc)  
D44H10  
D45H10  
h
FE  
35  
—
—
—
—
—
CE  
C
60  
20  
40  
D44H8,11  
D44H8,11  
(V = 1.0 Vdc, I = 4.0 Adc)  
D44H10  
D45H10  
CE  
C
D44H8,11  
D45H8,11  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
D44H/D  
1234

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