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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> D44H10
D44H10 PDF预览

D44H10

更新时间： 2024-09-29 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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D44H10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.45
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

D44H10 数据手册

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by D44H/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver  
stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.  
*Motorola Preferred Device  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80 VOLTS  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
= 1.0 V (Max) @ 8.0 A  
Fast Switching Speeds  
V
CE(sat)  
•
•
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
D44H or D45H  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
8
10, 11  
80  
V
CEO  
60  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
10  
20  
Total Power Dissipation  
P
Watts  
C
D
@ T = 25 C  
50  
1.67  
C
@ T = 25 C  
A
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.5  
75  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds  
(1) Pulse Width 6.0 ms, Duty Cycle 50%.  
T
L
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
J
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
DC Current Gain  
D44H10  
D45H10  
h
FE  
35  
—
—
—
—
—
(V  
CE  
= 1.0 Vdc, I = 2.0 Adc)  
C
60  
20  
40  
D44H8,11  
D44H8,11  
(V  
CE  
= 1.0 Vdc, I = 4.0 Adc)  
D44H10  
D45H10  
C
D44H8,11  
D45H8,11  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1995
1234

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与D44H10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D44H1016 MOTOROLA

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 		10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D44H1016A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
D44H10AJ MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
D44H10AK ONSEMI

获取价格

 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
D44H10BA ONSEMI

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
D44H10BD ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
D44H10BG ONSEMI

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 		暂无描述
D44H10BS ONSEMI

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
D44H10BU ONSEMI

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
D44H10D1 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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