D3SBA60

更新时间： 2024-10-29 03:28:11

品牌	Logo	应用领域
EIC		整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D3SBA60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

D3SBA60 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIER

D3SBA10 ~ D3SBA80

0.150 (3.8)

0.134 (3.4)

0.189 (4.8)

0.173 (4.4)

PRV : 100 ~ 800 Volts

Io : 4.0 Amperes

0.996 (25.3)

0.972 (24.7)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

* Very good heat dissipation

* Pb / RoHS Free

~ ~

0.075 (1.9)

0.060 (1.5)

0.043 (1.1)

0.035 (0.9)

0.114 (2.9)

0.098 (2.5)

0.303 (7.7)

0.287 (7.3)

MECHANICAL DATA :

0.032 (0.8)

0.043 (1.1)

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and (millimeters)

* Weight : 4.28 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

D3SBA D3SBA D3SBA D3SBA D3SBA

RATING

Maximum Reverse Voltage

SYMBOL

VRM

UNIT

100

200

400

600

800

Maximum Average Forward Current

4 (With heatsink, Tc = 108°C)

IF(AV)

(50Hz Sine wave, R-load)

2.3 (Without heatsink, Ta = 25°C)

Maximum Peak Forward Surge Current

( 50 Hz, Half-cycle, Sinwave, Single Shot )

Current Squared Time at 1ms ≤ t < 10 ms, Tc=25°C

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 2.0 A.

Maximum DC Reverse Current, VR=VRM

( Pulse measurement, Rating of per diode)

Maximum Thermal Resistance, Junction to case

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

IFSM

I²t

A²S

1.05

5.5 (With heatsink)

30 (Without heatsink)

150

°C/W

°C

RqJC

RqJA

TSTG

- 40 to + 150

°C

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

中文翻译

下载PDF

与D3SBA60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D3SBA80	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIER
D3SH	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH_10	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH-A0L	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH-A0L1	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH-A0L1-6	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switches
D3SH-A0L-6	OMRON	获取价格	Snap Acting/Limit Switch
D3SH-A0R	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH-A0R1	OMRON	获取价格	Surface Mount Detection Switch
D3SH-A0R1-6	OMRON	获取价格	Snap Acting/Limit Switch

与D3SBA60相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

15
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

19
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

43
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D3SBA60

D3SBA60 技术参数

D3SBA60 数据手册

与D3SBA60相关器件

与D3SBA60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D3SBA60

D3SBA60 技术参数

D3SBA60 数据手册

与D3SBA60相关器件

与D3SBA60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？