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D371S45T

更新时间： 2024-01-10 14:11:46

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 510A, 4500V V(RRM), Silicon,

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D371S45T 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	SNUBBER DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	3.9 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	6000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	510 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4500 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

D371S45T 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

D 371 S 45 T

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

t_vj= -40°C ... t_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_FAVM

4500

4600

800

t_vj= +25°C ... t_{vj max}

Stoßspitzensperrspannung

non-repetetive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

t_C= 85°C, f = 50Hz

t_C= 51°C, f = 50Hz

Dauergrenzstrom

mean forward current

330

510

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

I_FSM

6000

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

1,8.-10⁵A²s

i_FM= 1000A, v_R= 1500 V

Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten

repetitive decay rate of on-state current at turn-of

(-di_F/dt)_com

1000 A/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

t_vj= t_{vj max}, i_F= 1200A

max

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

3,90

2,00

t_vj= t_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

t_vj= t_{vj max}

Ersatzwiderstand

forward slope resistance

r_T

1,49

t_vj= t_{vj max}, di_F/dt = 1000A/µs

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

V_FRM

typ.150

t_vj= t_{vj max,}v_R= V_RRM

Sperrstrom

reverse current

i_R

100 mA

t_vj= t_{vj max}

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

max 500 A

i_FM= 1000A, -di_F/dt = 250A/µs

v_R= 1000V, C_S=0,125µF, R_S= 6W

t_vj= t_{vj max}

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

max 1250 µAs

i_FM= 1000A, -di_F/dt = 250A/µs

v_R= 1000V, C_S=0,125µF, R_S= 6W

2) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range ( standard value)

3) Richtwert für untere Streubereichsgrenze von V_T/ Lower limit of scatter range ( standard value) of on - state voltage

HLB-M / 25.4.1996 Beuermann / Keller

Seite/page 1

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与D371S45T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D371S45TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 510A, 4500V V(RRM),
D372	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-20AS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-20BS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-20FS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-20GS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-21AS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-21BS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-21FS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications
D372-21GS	AGERE	获取价格	D372-Type Digital Uncooled DFB Laser Module for 2.5 Gbits/s Applications

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