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D315CH21F8K6

更新时间: 2024-11-13 13:51:27
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 276K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1260V V(RRM), 1 Element

D315CH21F8K6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:FAST标称电路换相断开时间:160 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:300 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:2110 A
重复峰值关态漏电流最大值:100000 µA断态重复峰值电压:2100 V
重复峰值反向电压:1260 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

D315CH21F8K6 数据手册

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