Datasheet > D1381S45T

D1381S45T

更新时间： 2024-11-14 14:54:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	46K
描述
D1381S GTO - 续流二极管盘具有高可靠性、耐用且密封的陶瓷外壳，外壳直径 100mm，高度 26mm。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D1381S45T 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

D 1381 S 45 T

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

t_vj= -40°C ... t_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_FAVM

4500

4600

2560

t_vj= +25°C ... t_{vj max}

Stoßspitzensperrspannung

non-repetetive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

t_C= 85°C, f = 50Hz

t_C= 70°C, f = 50Hz

Dauergrenzstrom

mean forward current

1380

1630

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

I_FSM

32 kA

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

5,12-10⁶A²s

i_FM= 3000A, v_R= 0,67 V_RRM

C_S= 3µF, R_S= 4W

Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten

repetitive decay rate of on-state current at turn-of

(-di_F/dt)_com

500 A/µs

D_S= D291S45T

Charakteristische Werte / Characteristic values

failure rate l < 100

typ.

Gleichsperrspannung

continuous direct reverse voltage

V_R(D)

3000

2,6

estimate value

t_vj= t_{vj max}, i_F= 2500A

max

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

t_vj= t_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

1,4

t_vj= t_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

0,48

forward slope resistance

t_vj= t_{vj max}

Durchlaßrechenkennlinie

On-state characteristics for calculation

max.

-1,712

0,000708

0,688

V = A+ B×i + C×ln i +1 + D× i

(

)

-0,0566

t_vj= t_{vj max}, di_F/dt = 500A/µs

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

V_FRM

typ. 57

t_vj= t_{vj max,}v_R= V_RRM

Sperrstrom

i_R

100 mA

reverse current

t_vj= t_{vj max}

max

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

700 A

i_FM= 1000A, -di_F/dt = 250A/µs

v_R= 1000V, C_S= 3µF, R_S= 4W

D_S= D291S45T

t_vj= t_{vj max}

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

2800 µAs

i_FM= 1000A, -di_F/dt = 250A/µs

v_R= 1000V, C_S= 3µF, R_S= 4W

D_S= D291S45T

SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann

Seite/page 1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与D1381S45T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D1381S45TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1630A, 4500V V(RRM), Silicon,
D13880-000	TE	获取价格	14mm Series Metal Oxide Varistors
D138ERW	MPD	获取价格	Low Cost, Miniature 1W SIP, Wide Input DC/DC Converters
D138I	MPD	获取价格	High Isolation Miniature, 1W SIP DC/DC Converters
D138S08	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 800V V(RRM), Silicon,
D138S08T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 800V V(RRM), Silicon,
D138S09	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 900V V(RRM), Silicon,
D138S10	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon,
D138S10SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D138S10T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon,

与D1381S45T相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D1381S45T

D1381S45T 数据手册

与D1381S45T相关器件

与D1381S45T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D1381S45T

D1381S45T 数据手册

与D1381S45T相关器件

与D1381S45T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？