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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT751BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CZT751PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| CZT751TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| CZT751TR | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| CZT751TR13 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| CZT751TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| CZT751TRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor, |
|
| CZT853 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR |
|
| CZT853_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CZT853BK | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
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