生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM160 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | 8K X 8 TAG; 16K X 1 DIRTY BIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N160 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | CACHE TAG SRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 160 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX64 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM160 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最小待机电流: | 4.75 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.65 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYM74B550PM-60C | CYPRESS |
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Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 15ns, CMOS | |
CYM74BP54PM-60 | ETC |
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x64 SRAM Module | |
CYM74BP54PM-66 | CYPRESS |
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Cache SRAM Module, 32KX64, 12ns, CMOS | |
CYM74C430PM-50C | CYPRESS |
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Cache SRAM Module, 32KX64, 20ns, CMOS | |
CYM74P430BPM-50C | CYPRESS |
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Cache SRAM Module, 64KX32, 13.5ns, CMOS | |
CYM74P430BPM-60C | CYPRESS |
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Cache SRAM Module, 64KX32, 10ns, CMOS | |
CYM74P430BPM-66C | ETC |
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x64 Selectable Burst Mode SRAM Module | |
CYM74P430PM-50C | CYPRESS |
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Cache SRAM Module, 32KX64, 13.5ns, CMOS | |
CYM74P430PM-60C | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM Module, 32KX64, 10ns, CMOS | |
CYM74P430PM-66C | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM Module, 32KX64, 8.5ns, CMOS |