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CYK512K16SCAU-55BAXI

更新时间： 2024-01-15 21:24:46

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器
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8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

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CYK512K16SCAU-55BAXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DSBGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.022 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

CYK512K16SCAU-55BAXI 数据手册

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CYK512K16SCCA

MoBL^®

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 1(WE Controlled)^{[12, 13, 17, 18, 19]}

ADDRESS

SCE

CE₂

PWE

BHE BLE

VALID DATA

DATAI/O

DON’TCARE

HZOE

Write Cycle 2 (CE₁or CE₂Controlled)^{[12, 13, 17, 18, 19]}

t_WC

ADDRESS

CE₁

t_SCE

t_SA

t_AW

t_HA

t_PWE

t_BW

BHE/BLE

t_SD

t_HD

VALID DATA

DATA I/O

DON’T CARE

t_HZOE

Notes:

17. Data I/O is high impedance if OE >V

18. If Chip Enable goes INACTIVE simultaneously with WE = HIGH, the output remains in a high-impedance state.

19. During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.

Document #: 38-05425 Rev. *E

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