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CYK001M16ZCCAU-FVI55

更新时间： 2024-01-09 13:05:38
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 267K
描述
Pseudo Static RAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48

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CYK001M16ZCCAU-FVI55 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：8 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CYK001M16ZCCAU-FVI55 数据手册

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CYK001M16ZCCAU  
MoBL3™  
DC Voltage Applied to Outputs  
Maximum Ratings  
in High Z State[6, 7, 8] ........................................–0.4V to 3.3V  
DC Input Voltage[6, 7, 8].....................................–0.4V to 3.3V  
Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C  
Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V  
Ambient Temperature with  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
Power Applied............................................–55°C to + 125°C  
Latch-Up Current....................................................> 200 mA  
Supply Voltage to Ground Potential................. –0.4V to 4.6V  
Operating Range  
Device  
Range  
Ambient Temperature  
VCC  
CYK001M16ZCCAU  
Industrial  
–25°C to +85°C  
2.70V to 3.30V  
CYK001M16ZCCAU CYK001M16ZCCAU  
-55 -70  
Uni  
t
Parameter  
VCC  
Description  
Supply Voltage  
Test Conditions  
Min. Typ.[5] Max. Min. Typ.[5] Max.  
2.7  
3.0  
3.3  
2.7  
3.3  
V
VOH  
Output HIGH  
IOH = –-0.1 mA  
IOL = 0.1mA  
VCC  
-
VCC  
-
V
Voltage  
0.4  
0.4  
VOL  
VIH  
VIL  
IIX  
Output LOW  
Voltage  
0.4  
0.4  
V
V
Input HIGH  
VCC= 2.7V to 3.3V  
0.8*  
Vcc  
-0.4  
VCC 0.8*  
+0.4V Vcc  
VCC  
Voltage  
+0.4V  
Input LOW  
Voltage  
0.4  
+1  
+1  
-0.4  
0.4  
+1  
+1  
V
Input Leakage  
GND < VIN < VCC  
–1  
–1  
µA  
µA  
Current  
IOZ  
ICC  
Output Leakage GND < VOUT < VCC, Output Disabled  
Current  
–1  
–1  
VCC Operating  
f = fMAX = 1/tRC  
f = 1 MHz  
VCC  
=
13  
3
22  
5
13  
3
17  
5
mA  
mA  
Supply  
VCCmax  
Current  
IOUT = 0 mA  
CMOS levels  
ISB1  
Automatic CE  
Power-Down  
Current —  
CMOS  
CE > VCC−0.2V  
VIN>VCC–0.2V,  
VIN<0.2V)  
Vcc = 3.3V  
100  
525  
100  
525  
µA  
f = fMAX (Address and  
Data Only),  
Inputs  
f = 0 (OE, WE, BHE  
and BLE), VCC=3.30V  
ISB2  
Automatic CE  
Power-Down  
Current —  
CMOS  
CE > VCC – 0.2V  
Vcc = 3.3V  
80  
150  
50  
80  
150  
50  
µA  
µA  
V
IN > VCC – 0.2V or VIN  
< 0.2V,  
f = 0, VCC = 3.30V  
Inputs  
IZZ  
Deep Sleep  
Vcc=Vccmax; ZZ=  
LOW  
Current  
Notes:  
6. V  
7. V  
= -0.5V for pulse durations less than 20ns.  
IL(MIN)  
IH(Max)  
= Vcc + 0.5V for pulse durations less than 20ns.  
8. Overshoot and undershoot specifications are characterized and are not 100% tested.  
Document #: 38-05454 Rev. *A  
Page 3 of 12  
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