Datasheet > CYDM128B16-55BVXC

CYDM128B16-55BVXC

更新时间： 2024-01-25 10:56:48

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	1346K
描述
8KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CYDM128B16-55BVXC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e1
长度：	6 mm	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...28

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CYDM128B16-55BVXI	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM
CYDM128B16-55BVXI	ROCHESTER	获取价格	8KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-1
CYDM128B16-55BVXIT	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CYDM256A16	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-35BVXC	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-55BVXC	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-55BVXI	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256B16	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RA
CYDM256B16-40BVXC	CYPRESS	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FR
CYDM256B16-55BVXC	CYPRESS	获取价格	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM