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CY7C439-65LMB

更新时间: 2024-11-27 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 462K
描述
Bi-Directional FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

CY7C439-65LMB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:CERAMIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:65 ns
其他特性:BYPASS XCVR最大时钟频率 (fCLK):12.5 MHz
周期时间:80 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:18432 bit内存集成电路类型:BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:32字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.286 mm
最大待机电流:0.025 A子类别:FIFOs
最大压摆率:0.145 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

CY7C439-65LMB 数据手册

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