是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | GLASS SEALED, CERPACK-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.29 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz | 周期时间: | 40 ns |
JESD-30 代码: | R-GDFP-F28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.288 mm | 内存密度: | 18432 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX9 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 2.286 mm | 最大待机电流: | 0.025 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 9.144 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C429-30LC | CYPRESS |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7C429-30LMB | CYPRESS |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7C429-30PC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C429-30PC | ROCHESTER |
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暂无描述 | |
CY7C429-30PI | CYPRESS |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7C429-30PI | ROCHESTER |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7C429-30VC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C429-30VCR | CYPRESS |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C429-30VCT | CYPRESS |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
CY7C429-30VI | ROCHESTER |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |