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CY7C4261V-10JXC

更新时间： 2024-01-15 03:05:34

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		先进先出芯片
页数	文件大小	规格书
16页	455K
描述
16K/32K/64K/128K x 9 Low-Voltage Deep Sync⑩ FIFOs

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CY7C4261V-10JXC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	8.54
最长访问时间：	8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
周期时间：	10 ns	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	9	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX9
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.556 mm	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	FIFOs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

CY7C4261V-10JXC 数据手册

CY7C4261V/CY7C4271V

CY7C4281V/CY7C4291V

DC Input Voltage ................................... –0.5V to V_CC+ 0.5V

Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA

Maximum Ratings

(Above which the useful life may be impaired. For user guide-

lines, not tested.)

Static Discharge Voltage...........................................> 2001V

(per MIL-STD-883, Method 3015)

Storage Temperature ...................................–65°C to +150°C

Latch-up Current.....................................................> 200 mA

Ambient Temperature with

Power Applied...............................................–55°C to +125°C

Operating Range

Supply Voltage to Ground Potential............... –0.5V to +3.6V

[4]

Range

Commercial

Industrial

Ambient Temperature

0°C to +70°C

V_CC

DC Voltage Applied to Outputs

in High-Z State .......................................–0.5V to V_CC+ 0.5V

3.3V ±300 mV

−40°C to +85°C

Electrical Characteristics Over the Operating Range

7C4261/71/81/91V- 7C4261/71/81/91V- 7C4261/71/81/91V-

10 15 25

Parameter

Description

Test Conditions

Min.

Max.

Min.

Max.

Min.

Max.

Unit

V_OH

Output HIGH

Voltage

V_CC= Min., I_OH= −1.0 mA

2.4

_CC= 3.0V, I_OH= −2.0 mA

V_OL

V_IH

V_IL

I_IX

Output LOW

Voltage

V_CC= Min., I_OL= 4.0 mA

_CC= 3.0V, I_OL= 8.0 mA

.04

V_CC

0.8

0.4

V_CC

0.8

0.4

V_CC

0.8

Input HIGH

Voltage

2.0

−0.5

−10

2.0

−0.5

−10

2.0

−0.5

−10

Input LOW

Voltage

Input Leakage V_CC= Max.

Current

+10

µA

I_OZL

I_OZH

Output OFF,

High Z Current V_SS< V_O< V_CC

OE > V_IH,

[5]

I_CC1

Active Power

Supply Current

Com’l

Ind

[6]

I_SB

Average

Standby Current

Com’l

Ind

Capacitance^[7]

Parameter

Description

Input Capacitance

Output Capacitance

Test Conditions

T_A= 25°C, f = 1 MHz,

_CC= 3.3V

Max.

Unit

C_IN

C_OUT

AC Test Loads and Waveforms (-15 and -25)^{[8, 9]}

R1 = 330Ω

3.3V

All Input Pulses

OUTPUT

3.0V

GND

90%

10%

90%

10%

R2=510Ω

INCLUDING

JIG AND

≤ 3 ns

SCOPE

Equivalentto:

THÉVENIN EQUIVALENT

200

Ω

OUTPUT

2.0V

Notes:

4. V Range for commercial -10 ns is 3.3V ±150mV.

5. Input signals switch from 0V to 3V with a rise/fall time of less than 3 ns, clocks and clock enables switch at maximum frequency of 20 MHz, while data inputs

switch at 10 MHz. Outputs are unloaded.)

6. All inputs = V − 0.2V, except WCLK and RCLK (which are at frequency = 0 MHz). All outputs are unloaded.

7. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

8. C = 30 pF for all AC parameters except for t

OHZ

9. C = 5 pF for t

OHZ

Document #: 38-06013 Rev. *B

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