是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | CERAMIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.16 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 28.5 MHz | 周期时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.286 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.132 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C425-25LMB | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C425-25LMBR | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7C425-25LMBT | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, LCC-32 | |
CY7C425-25PC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C425-25PC | ROCHESTER |
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1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28 | |
CY7C425-25PI | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7C425-25VC | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C425-25VCT | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C425-25VI | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C425-25VIR | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |