是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.59 | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz |
周期时间: | 40 ns | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C425-30JIR | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C425-30JIT | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C425-30KMB | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, GLASS SEALED, CERPACK-28 | |
CY7C425-30LC | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7C425-30PC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C425-30PC | ROCHESTER |
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1K X 9 OTHER FIFO, 30 ns, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28 | |
CY7C425-30PI | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7C425-30VC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C425-30VCR | CYPRESS |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C425-30VCT | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |