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CY7C425-20LMB

更新时间: 2024-11-24 21:10:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
22页 826K
描述
FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

CY7C425-20LMB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:CERAMIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.17最长访问时间:20 ns
其他特性:RETRANSMIT最大时钟频率 (fCLK):33.33 MHz
周期时间:30 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:9216 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:32字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.286 mm
最大待机电流:0.008 A子类别:FIFOs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

CY7C425-20LMB 数据手册

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